ರಂದು ಸಿ.ಸಿ. ಮೋಸ್ಫೇಟ್ಗಳಿಗೆ ಸೇರಿಸುತ್ತದೆ

ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಆನ್ ಇವಿಗಳು, ಸೌರ ಮತ್ತು ಯುಪಿಎಸ್ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳನ್ನು ಉದ್ದೇಶಿಸಿ ಎರಡು ಎಸ್ಸಿಸಿ ಮೋಸ್ಫೇಟ್ಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿದೆ.

ಕೈಗಾರಿಕಾ ದರ್ಜೆಯ NTHL080N120SC1 ಮತ್ತು AEC-Q101 ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ದರ್ಜೆ NVHL080N120SC1 ಗಳು ಪೂರಕವಾಗಿದೆ  ಸಿಸಿ ಡಯೋಡ್ಗಳು ಮತ್ತು ಸಿ.ಸಿ.ಸಿ ಚಾಲಕರು, ಸಾಧನ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಉಪಕರಣಗಳು, SPICE ಮಾದರಿಗಳು ಮತ್ತು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಮಾಹಿತಿ.

ಆನ್ನ 1200 ವೋಲ್ಟ್ (ವಿ), 80 ಮಿಲಿಹ್ಯಾಮ್ (mΩ), ಸಿಎಸಿ MOSFET ಗಳು ಕಡಿಮೆ ಲೀಕೇಜ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಕಡಿಮೆ ರಿವರ್ಸ್ ಚೇತರಿಕೆ ಚಾರ್ಜ್ ಹೊಂದಿರುವ ವೇಗದ ಅಂತರ್ನಿರ್ಮಿತ ಡಯೋಡ್, ಇದು ಕಡಿದಾದ ವಿದ್ಯುತ್ ನಷ್ಟದ ಕಡಿತವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಧಿಕ ಆವರ್ತನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಇಯಾನ್ ಮತ್ತು ಇಎಫ್ / ಫಾಸ್ಟ್ ಟರ್ನ್ ಆನ್ ಮತ್ತು ಆಫ್ ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಜೊತೆಗೆ ಒಟ್ಟು ವಿದ್ಯುತ್ ನಷ್ಟವನ್ನು ತಗ್ಗಿಸಲು ಮತ್ತು ತಂಪಾಗಿಸುವ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

ತೊಂದರೆಗೊಳಗಾಗಿರುವ ಇಎಮ್ಐ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ಆವರ್ತನಗಳಲ್ಲಿ ಬದಲಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಕಡಿಮೆ ಸಾಧನ ಧಾರಣಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತದೆ; ಏತನ್ಮಧ್ಯೆ, ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ವಿರುದ್ಧ ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಲ್ಬಣವು, ಹಠಾತ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ, ಮತ್ತು ದೃಢತೆ ಒಟ್ಟಾರೆ ಒರಟುತನವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ, ಸುಧಾರಿತ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ ಮತ್ತು ದೀರ್ಘ ಒಟ್ಟಾರೆ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ.

ಸಿಐಸಿ ಮೊಸ್ಫೆಟ್ ಸಾಧನಗಳ ಒಂದು ಪ್ರಯೋಜನವೆಂದರೆ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ ಮತ್ತು ಒರಟುತನಕ್ಕೆ ಸೇರ್ಪಡೆಗೊಳ್ಳುವ ಮುಕ್ತಾಯದ ರಚನೆಯಾಗಿದ್ದು, ಕಾರ್ಯಾತ್ಮಕ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.

NVHL080N120SC1 ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಲ್ಬಣವು ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ವಿರುದ್ಧ ಹೆಚ್ಚಿನ ಹಠಾತ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಮತ್ತು ದೃಢತೆಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ.

MOSFET ಮತ್ತು ಇತರ ಸಿಇಸಿ ಸಾಧನಗಳ AEC-Q101 ಅರ್ಹತೆ ನೀಡುತ್ತದೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ವಿಷಯ ಮತ್ತು ಪೌರ್ಟ್ರೇನ್ಗಳ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ ಉದಯೋನ್ಮುಖವಾಗಿರುವ ಇನ್-ವಾಹನ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಸಂಖ್ಯೆಯಲ್ಲಿ ಅವುಗಳನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳಬಹುದೆಂದು ಖಾತ್ರಿಪಡಿಸುತ್ತದೆ.

175 ಡಿಗ್ರಿ ಗರಿಷ್ಠ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ಉಷ್ಣತೆಯು ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ವಿನ್ಯಾಸಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಕೆಗೆ ಸೂಕ್ತತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ನಿರ್ಬಂಧಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯ ಸುತ್ತುವರಿದ ತಾಪಮಾನಗಳನ್ನು ತಳ್ಳುವ ಇತರ ಗುರಿ ಅನ್ವಯಗಳನ್ನೂ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ.